这两天,Digitimes发布了一份研究报告,分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同工艺的上晶体管密度问题。

从这个分析来看,intel的10nm工艺,比三星、台积电的7nm要强。而intel的7nm,比台积电的5nm要强,甚至还强于三星的3nm。而intel的5nm,强于台积电的3nm,直追IBM的2nm。

三星、台积电最成功的营销:让大家相信5nm是真5nm,3nm是真3nm

一时之间,网友有很多说法,称三星造假太严重了,而台积电的工艺制程也是水分比较大,只有英特尔是清白了。

事实上,关于这个问题,我认为其实还是三星、台积电太会营销了,成功的让大家相信了他们对外宣称的5nm就是真5nm,宣称的3nm就是真正的3nm,没想过他们会造假。

三星、台积电最成功的营销:让大家相信5nm是真5nm,3nm是真3nm

其实在14nm之前,大家都还是比较靠谱的,工艺制程没有太多的水分。但其实到了14nm的时候,这些芯片厂商发现,要遵循摩尔定律,也就是“集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍”已经太难了。

那怎么办呢?于是台积电、三星们就想了一个办法,那就是工艺还是按照摩尔定律的来,就是在继续推进,但是晶体管密度可就不按这个来了,比如10nm时,台积电、三星的晶体管密度就大约只有intel的一半了。

事实上关于这个问题,台积电当初也是承认了的,表示芯片工艺的XXnm,其实与沟道长度不是对应一一关系了,XXnm更像是一种营销游戏了,不是真的XXnm。

三星、台积电最成功的营销:让大家相信5nm是真5nm,3nm是真3nm

至于三星,本来技术就比不上台积电,现在连台积电都工艺掺水了,三星就更加不要说了,掺假更彻底了,从晶体管密度来看,水分更多。

不过就算台积电、三星的工艺掺水,但消费者基本上都相信台积电、三星的5nm就是真5nm,而3nm就是真3nm,很少有人去质疑对方究竟工艺有没有问题, 也没有质疑是不是真的就是5nm,这就是他们的成功之处。

相反老老实实做事,一直在努力遵循摩尔定律的英特尔,反而被大家认为是落后台积电、三星太远了。